研究目的
研究以Ge2Sb2Te5为相变材料、采用可重构类卍字超表面实现近红外开关应用。
研究成果
全介质相变超表面在目标工作波长2微米处展现出高开关对比度，使其适用于近红外区域的高速开关与调制。其偏振不敏感特性以及采用GST同时作为开关和共振介质的设计，凸显了其在集成光子器件中的应用潜力。
研究不足
该研究聚焦于近红外范围及超表面作为开关的特定应用，但未详细说明制造工艺及实际实施中的挑战。
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基于Ge2Sb2Te5相变材料的全介质超表面近红外开关
DOI：10.1007/s11664-020-08101-1
期刊：Journal of Electronic Materials
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
本文提出了一种用于近红外（NIR）波段多尺度应用的超表面。研究详细分析了一种偏振不敏感、单层可重构的卍字型近红外开关超表面。该超表面以锗锑碲（Ge2Sb2Te5）相变材料为核心，在1.8微米至2.2微米波长范围内实现近红外开关功能。其结构由玻璃基底上的图案化Ge2Sb2Te5薄膜构成，属于全介质超构材料。实验测得该超表面具有高达150的开关对比度（即最大与最小透射率之比）。不同偏振态的光入射均不影响其开关特性，使其成为开发先进可调谐集成光子器件的理想候选方案。
作者：
PRATEEK MISHRA，VIBHU SRIVASTAVA，MIRGENDAR KUMAR，SUNNY
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