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SnO2:Ag/P-Si异质结光电探测器的光电特性

DOI：10.1016/j.egyr.2019.10.017 期刊：Energy Reports 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要： 采用热蒸发法制备了厚度为350纳米的n型二氧化锡薄膜。通过掺杂比例（0.01、0.02和0.03）对SnO2薄膜进行银掺杂。采用原子力显微镜（AFM）测定薄膜表面晶粒尺寸与粗糙度。通过霍尔测量系统测定电学性能并计算迁移率。SnO2:Ag/P-Si光电探测器在银掺杂比例为0.03时展现出最高可见光响应度（0.287 A/W）。测量了不同功率密度下的I-V特性曲线。在波长422纳米处获得最佳光谱响应灵敏度值、比探测率及量子效率。
作者： Hanan K. Hassun，Bushra H. Hussein，Ebtisam M.T. Salman，Auday H. Shaban
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究SnO2:Ag/P-Si异质结光电探测器的光电特性，重点分析银掺杂对薄膜电学和光学性能的影响。

研究成果

该研究成功证明银掺杂可提升SnO2:Ag/P-Si异质结光电探测器的光电性能，使其响应度、量子效率和比探测率均得到增强。当银掺杂比例为0.03时，器件性能达到最佳。

研究不足

该研究聚焦于银掺杂对二氧化锡薄膜的影响及其在光电探测器中的应用，但未探究其他掺杂元素或替代制备方法可能带来的不同优势。

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