研究目的
采用时域有限差分法研究AlGaN基深紫外发光二极管（DUV LEDs）的光提取效率（LEE），以优化其性能。
研究成果
NPSS技术通过扩大AlGaN基深紫外LED的顶部表面和侧壁的出光角度，显著提升了其光提取效率(LEE)，其效果优于对n-AlGaN背面进行粗糙化处理。这一发现对高性能深紫外LED的研发至关重要。
研究不足
该研究未考虑电极、有源层面积及电流扩展对LEE的影响。由于计算限制，模拟模型进行了简化，可能无法完全反映实际DUV LED结构的复杂性。
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基于AlGaN的深紫外发光二极管光提取效率优化
DOI：10.1149/2162-8777/ab85c0
期刊：ECS Journal of Solid State Science and Technology
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:19:57
摘要：
采用时域有限差分法研究了基于AlGaN的深紫外发光二极管（DUV LEDs）的光提取效率（LEE）。仿真结果表明，与平面蓝宝石衬底相比，纳米图形化蓝宝石衬底（NPSS）扩大了顶面和侧壁的提取角度，从而显著提高了横磁（TM）偏振光的LEE。对n-AlGaN背面进行粗糙化处理能大幅提升薄膜倒装DUV LEDs顶面的LEE，但会大幅削弱其侧壁的LEE。对于裸露的DUV LED，NPSS上倒装LED的LEE估计约为15%，比n-AlGaN背面粗糙化的薄膜倒装DUV LEDs高出约50%。
作者：
Hui Wan，Shengjun Zhou，Shuyu Lan，Chengqun Gui
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