研究目的
通过界面工程研究全无机量子点发光二极管（QLEDs）的效率提升。
研究成果
研究表明，在NiOx/QDs界面插入超薄Al2O3层能显著抑制NiOx对量子点发光的猝灭效应，从而大幅提升全无机量子点发光二极管(QLED)的效率。优化后的器件实现了20.4 cd A?1的最大电流效率和5.5%的外量子效率(EQE)，标志着全无机QLED性能取得重大突破。
研究不足
NiOx全无机量子点发光二极管（QLED）的最大外量子效率（EQE）仍低于10%，这可能是由于NiOx的空穴迁移率相对较低，且空穴从NiOx向量子点层转移时存在较高的能垒，导致器件中电荷注入不平衡。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用溶液法制备的NiOx作为空穴传输层（HTL）、ZnO作为电子传输层（ETL）来制备全无机量子点发光二极管（QLED），并通过原子层沉积（ALD）在NiOx/量子点界面处沉积超薄Al2O3层以抑制NiOx对量子点发光的猝灭效应。
2：样品选择与数据来源：
使用合成的绿色量子点（QDs）作为发光层。NiOx前驱体由醋酸镍四水合物和单乙醇胺在乙醇中制备而成。
3：实验设备与材料清单：
仪器包括Keithley 2400源表、皮安计（Keithley 6485）、美能达亮度计（CS-100）、海洋光学光谱仪（USB2000）以及用于时间分辨光致发光测量的爱丁堡仪器FL920光谱仪。材料包括醋酸镍四水合物、单乙醇胺、七钼酸铵、醋酸锌和四甲基氢氧化铵。
4：5）、美能达亮度计（CS-100）、海洋光学光谱仪（USB2000）以及用于时间分辨光致发光测量的爱丁堡仪器FL920光谱仪。材料包括醋酸镍四水合物、单乙醇胺、七钼酸铵、醋酸锌和四甲基氢氧化铵。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：通过旋涂MoOx前驱体溶液至ITO衬底，随后旋涂NiOx前驱体并退火来制备QLED。采用ALD沉积Al2O3层，在NiOx/Al2O3层上旋涂量子点，最后旋涂ZnO并热蒸发铝阴极。
5：数据分析方法：
通过电流密度-电压-亮度（J-V-L）测试、电致发光光谱和时间分辨光致发光光谱表征QLED的性能。
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