研究目的
研究采用集成FET存取器件的相变存储器(PCM)单元进行基于累积的运算,并展示高效的因数分解。
研究成果
研究表明,采用场效应管(FET)访问器件的CMOS集成相变存储器单元能通过累加器计算方案执行算术运算。脉冲间的中间状态具有稳定性,从而支持在同一物理位置实现计算与数据存储的非冯·诺依曼计算模式。未来工作可通过器件尺寸微缩来提升该方案的可靠性并降低功耗。
研究不足
高算术基数下,累加方案的可靠性会降低。该基于累加的计算方案未采取特定步骤进行性能优化,表明通过微调存在改进潜力。
研究目的
研究采用集成FET存取器件的相变存储器(PCM)单元进行基于累积的运算,并展示高效的因数分解。
研究成果
研究表明,采用场效应管(FET)访问器件的CMOS集成相变存储器单元能通过累加器计算方案执行算术运算。脉冲间的中间状态具有稳定性,从而支持在同一物理位置实现计算与数据存储的非冯·诺依曼计算模式。未来工作可通过器件尺寸微缩来提升该方案的可靠性并降低功耗。
研究不足
高算术基数下,累加方案的可靠性会降低。该基于累加的计算方案未采取特定步骤进行性能优化,表明通过微调存在改进潜力。
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