研究目的
基于紫外线辐射的光信号发射器高速光通信能力研究。
研究成果
该研究展示了在硅基氮化镓平台上制造具有超小有源区的紫外光信号发射器实现高速紫外光通信的可行性。该发射器表现出稳定的电致发光特性和线性光输出功率调制，在自由空间数据传输测试中实现了250 Mbps的传输速率。
研究不足
该研究聚焦于基于紫外线辐射的光信号发射器的制备与表征，其潜在局限性在于制备工艺的可扩展性以及将该发射器集成到现有光通信系统中的难度。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用硅基氮化镓平台通过双刻蚀工艺制备具有超小有源区的光信号发射器，表征了该发射器的光电特性，包括电致发光（EL）和光输出功率-电流-电压（L-I-V）特性。
2：样品选择与数据来源：
使用硅基氮化镓平台的III族氮化物外延层，包含p接触氮化镓层、p包覆AlGaN层、InGaN/GaN多量子阱、n包覆AlGaN层等结构。
3：实验设备与材料清单：
设备包括半导体器件参数分析仪（安捷伦B1500A）、紫外光谱仪、光功率计及探针台；材料为电子束（EB）蒸镀的金属薄膜（Pd/Pt/Au）。
4：实验流程与操作步骤：
制备过程包括在金属薄膜上图案化有源区、通过ICP刻蚀转移至III族氮化物外延层、沉积二氧化硅层实现电隔离、采用电子束蒸镀与剥离工艺形成p/n电极。
5：数据分析方法：
研究分析了EL与L-I-V特性、不同交流信号频率下的C-V特性，并进行了自由空间数据传输测试以评估传输速率。
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