研究目的
研究硼和磷共掺杂硅量子点的光催化产氢性能及量子限域效应在增强光催化活性中的作用。
研究成果
研究表明,B和P共掺杂的硅量子点具有高抗氧化性,并表现出尺寸依赖性的光催化产氢速率。量子限域效应通过移动硅量子点的LUMO能级增强了光催化活性。该发现为开发基于硅的光催化材料和器件铺平了道路。
研究不足
该研究的局限性在于较小的硅量子点会发生光氧化,这会随时间推移影响其稳定性和光催化活性。实验与理论中的反应速率绝对值无法直接进行比较。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用共溅射法制备胶体硅量子点(Si QDs),随后通过退火工艺在BPSG基质中生长Si QDs。通过测量光照下释放的氢气量评估其光催化活性。
2:样品选择与数据来源:
通过改变生长温度制备不同尺寸的共掺杂Si QDs,采用透射电镜(TEM)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)和光致发光光谱(PL)表征其结构与光学特性。
3:实验设备与材料清单:
使用500 W氙灯进行光照,气相色谱仪分析氢气,透射电镜(JEM-2100F,JEOL)进行结构表征,傅里叶变换红外光谱仪(PerkinElmer,Spectrum GX)进行化学分析。
4:实验流程与操作步骤:
将Si QDs分散于含甲醇牺牲剂的水溶液中,用氙灯照射该溶液,通过气相色谱仪分析产生的氢气。
5:数据分析方法:
分析氢气生成速率与量子点尺寸的函数关系,并采用马库斯理论解释结果。
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