研究目的
通过周期格林函数法对石墨烯层上方纳米偶极子阵列进行光谱分析,评估化学势对吸收率和电磁场的影响,并比较基于阻抗条件的模型与考虑有限厚度石墨烯的公式。
研究成果
光谱分析验证了石墨烯色散特性随频率、化学势及阵列中偶极子浓度的变化关系。观测到表面等离激元极点的出现及其在空间域中的贡献。基于表面阻抗提出的模型与考虑有限厚度石墨烯的方法一致,在场分布轮廓上表现出高度吻合,仅在靠近石墨烯层处存在微小差异。
研究不足
该研究仅限于使用PGF方法对石墨烯层上方纳米偶极子阵列进行光谱分析。表面阻抗模型与有限厚度模型的对比显示,在靠近石墨烯层处存在微小差异,这表明存在进一步优化的潜在领域。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用周期格林函数(PGF)法对石墨烯层上方纳米偶极子阵列进行光谱分析。将石墨烯建模为具有Kubo模型描述电导率的表面阻抗。
2:样本选择与数据来源:
分析对象为沉积在二氧化硅(SiO2)衬底上的石墨烯层上方均匀分布的周期性纳米偶极子阵列结构。
3:实验设备与材料清单:
用于生成参数化结果的MATLAB软件。
4:实验流程与操作步骤:
通过复二维傅里叶级数变换获取格林函数,在介质界面处设置阻抗条件。对化学势对光谱域吸收率和电磁场影响的参数化分析。
5:数据分析方法:
验证石墨烯的色散特性,研究光谱表示中表面等离激元极化子(SPP)极点的出现。
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