研究目的
研究变形对含InAs量子点的InAs/GaAs异质结构中电子和空穴能谱的影响，以及电子与空穴基态复合跃迁过程中辐射能量的调制作用。
研究成果
能量调制（光谱线宽）的理论计算与实验数据定性相符。量子点半径的减小会导致辐射能量调制幅度的增加，这可以通过量子点材料中形变的增长来解释。
研究不足
该模型未考虑非线性效应，而这种效应在大变形情况下影响显著。强度随压力增加的相对变化仅在低压下协调良好。
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声学形变对含InAs量子点的InAs/GaAs异质结构中复合辐射的影响
DOI：10.1016/j.physe.2020.113988
期刊：Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
在电子形变模型框架下，研究了形变对含InAs量子点（QD）的InAs/GaAs异质结构中电子和空穴能谱的影响。探讨了声电效应对于含InAs量子点的InAs/GaAs异质结构中电子与空穴基态间复合跃迁辐射能量调制的作用。确定了复合辐射能量调制对量子点尺寸及声波在基质表面产生的机械应力幅值的依赖性本质。
作者：
Roman Peleshchak，Oleh Kuzyk，Olesya Dan’kiv
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