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激光场对电场触发罗森-莫尔斯量子阱非线性光学特性的调控

DOI：10.1016/j.physleta.2020.126400 期刊：Physics Letters A 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 我们首次研究了具有罗森-莫尔斯势约束的GaAs/GaAlAs异质结构量子阱（QW）的非线性光学整流（NOR）、二次谐波产生（SHG）和三次谐波产生（THG）等光学特性。为此，首先通过施加10 kV/cm的外加电场使量子阱结构非对称化，从而在整个研究中采用电场触发（F=10 kV/cm）的罗森-莫尔斯量子阱（eftRMQW）。本研究阐明了如何通过单色线偏振强激光?。↖LF）调控NOR、SHG和THG光学响应。为研究ILF效应，利用克拉默斯-海因伯格式（KH）和偶极近似将时变ILF从波动方程的势能项中移除，构建激光修饰势。随后采用有效质量方法和抛物线近似，通过矩阵对角化法获得eftRMQW的束缚态能级和波函数。详细讨论了ILF与eftRMQW结构参数对NOR、SHG和THG系数的影响。针对考虑采用eftRMQW的器件设计与应用，找出了最优结构参数，并对该最优参数进行了替代参数分析。
作者： F. Ungan，M.K. Bahar
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研究概述 实验方案

研究目的

研究在强激光?。↖LF）和外部电场作用下，Rosen-Morse量子阱（QW）中非线性光学整流（NOR）、二次谐波产生（SHG）和三次谐波产生（THG）的控制。

研究成果

研究表明，通过调节内局域场强度和结构参数，可有效控制Rosen-Morse量子阱的非线性光学特性（非线性折射率、二次谐波、三次谐波）。该发现表明，在强内局域场条件下，该量子阱更适用于倍频与三倍频过程，为器件设计与应用提供了重要参考依据。

研究不足

该研究为理论性研究，未进行实验验证。基于计算讨论了ILF和结构参数的影响，可能无法完全反映现实情况的复杂性。

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