研究目的
研究黑磷量子点(BPQDs)作为有机纳米浮栅晶体管存储器(NFGTM)中电荷捕获介质在非易失性存储应用中的使用。
研究成果
采用BPQDs作为电荷捕获介质的有机NFGTM器件展现出优异的存储性能,包括大存储窗口、稳定的耐久循环及可靠的保持特性。PMMA隧穿层的引入进一步提升了保持能力,使基于BPQDs的NFGTM成为未来高性能有机存储器应用的有力候选方案。
研究不足
研究指出,开态和关态的逐渐衰减很可能是由于BPQDs与有机半导体薄膜直接接触,导致陷阱电荷泄漏。研究发现,引入PMMA隧穿层可缓解这一问题。
1:实验设计与方法选择
本研究采用黑磷量子点(BPQDs)作为有机非易失性浮栅晶体管(NFGTM)器件的电荷捕获层,使用溶液加工工艺和低温处理技术。方法包括通过液相剥离法合成BPQDs、旋涂法制备器件以及电学表征。
2:样品选择与数据来源
BPQDs由块状黑磷合成。有机半导体PFT-100用作活性沟道层。器件性能评估基于存储窗口、耐久循环次数和保持能力。
3:实验设备与材料清单
重掺杂p++-Si衬底(带SiO2)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、PFT-100半导体、氯苯、金源漏电极、PMMA隧穿层。
4:实验流程与操作步骤
合成BPQDs并旋涂于Si/SiO2衬底上。在BPQDs薄膜上沉积PFT-100,随后蒸镀金电极。同时制备含PMMA隧穿层的器件。使用半导体分析仪进行电学表征。
5:数据分析方法
通过转移曲线分析、耐久循环测试和保持测试评估存储性能。利用存储窗口和栅介质电容计算电荷陷阱密度。
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