研究目的
研究采用H2-Ar混合稀释法沉积掺硼纳米晶碳化硅薄膜，以实现薄膜太阳能电池中兼具宽光学带隙与高导电性的应用。
研究成果
通过采用H2-Ar混合稀释法，可制备出具有宽光学带隙的高导电性B掺杂nc-SiCx薄膜，并对提升转换效率表现出显著效果。当窗口层制备时H2流量为360 sccm时，器件获得最佳性能。
研究不足
高退火温度（≥800℃）不利于器件制造。由于Tauc曲线仅代表薄膜的整体光学带隙，因此无法通过Tauc方法提取Si纳米晶体的光学带隙能量。
1：实验设计与方法选择：
采用13.56 MHz电容耦合平行板射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备硼掺杂纳米晶硅碳（B-doped nc-SiCx）薄膜。
2：56 MHz电容耦合平行板射频等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统制备硼掺杂纳米晶硅碳（B-doped nc-SiCx）薄膜。 样品选择与数据来源：
2. 样品选择与数据来源：以玻璃和单晶硅（c-Si）晶圆为衬底，沉积前依次用丙酮、乙醇和去离子水进行预清洗。
3：实验设备与材料清单：
以纯硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）作为前驱体气体，流量均为5 sccm通入反应腔；采用2%氢稀释乙硼烷（B2H6）作为掺杂源气体。
4：实验流程与操作规范：
所有样品的射频功率固定为100 W，反应气压恒定为400 Pa。
5：数据分析方法：
通过透射电镜（TEM）、拉曼光谱（Raman）、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见光谱（UV/VIS）及霍尔测试等手段，系统研究H2-Ar混合稀释对薄膜沉积的影响。
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Transmission electron microscope
JEOL JEM 2100
JEOL
Observation of micro-structural properties
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PECVD system
13.56 MHz
Deposition of boron-doped nanocrystalline silicon carbide thin films
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Raman spectrometer
in Via Reflex
Measurement of crystalline content
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UV–visible spectrophotometer
UV–1601
Measurement of transmittance spectra
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Hall test system
Nano–metrics HL5500PC
Measurement of electrical properties
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X-ray photoelectron spectroscopy
ESCALAB250
Characterization of composition ratios and chemical bonding configurations
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QE measurement system
QTEST STATION 500TI
CROWNTECH
Estimation of spectral response
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