研究目的
通过采用部分渐变量子垒提升AlGaN基深紫外LED的效率与光功率研究
研究成果
与采用阶梯量子垒（SQBs）的传统LED相比，所提出的基于AlGaN且具有部分渐变量子垒（PQBs）的深紫外（D-UV）LED结构在光输出功率、内量子效率及深紫外波段功率谱密度方面均表现出显著提升。
研究不足
该研究是理论性的，基于模拟结果。需要实验验证来确认这些发现。
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通过使用部分渐变量子势垒提高AlGaN基深紫外LED的效率和光功率
DOI：10.1016/j.spmi.2020.106543
期刊：Superlattices and Microstructures
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
本文展示了一种新型AlGaN基深紫外发光二极管（D-UV LED）结构，并从理论上研究了其改进的电学输出特性。该新结构采用部分渐变量子垒（PQBs）替代传统LED中的阶梯式量子垒（SQBs）。仿真结果表明，在新D-UV LED结构中使用PQBs能显著提升内量子效率（IQE）、光输出功率（LOP）或发光功率，并增强深紫外波段的光谱功率密度。这种改进源于有源区中更高的载流子势垒，有助于改善量子阱中的载流子限制并促进辐射复合的显著增加。
作者：
Himanshu Gupta，Shameem Ahmad，Sandhya Kattayat，Dheeraj Kumar，Saurabh Dalela，M.J. Siddiqui，P.A. Alvi
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