研究目的
通过静电掺杂横向p-n结研究WSe2光电晶体管响应度和探测率的可调谐性。
研究成果
静电掺杂横向p-n结的引入显著提升了WSe2光电晶体管的光电探测能力,实现了响应度和探测度的可调性以及快速响应时间。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的光电晶体管特定架构及材料可能不具备普适性,且未充分探究不同波长或功率密度下的性能表现。
研究目的
通过静电掺杂横向p-n结研究WSe2光电晶体管响应度和探测率的可调谐性。
研究成果
静电掺杂横向p-n结的引入显著提升了WSe2光电晶体管的光电探测能力,实现了响应度和探测度的可调性以及快速响应时间。
研究不足
该研究的局限性在于所采用的光电晶体管特定架构及材料可能不具备普适性,且未充分探究不同波长或功率密度下的性能表现。
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您正在对论文“[IEEE 2019器件研究会议(DRC) - 美国密歇根州安娜堡(2019.6.23-2019.6.26)] 2019年器件研究会议(DRC) - 静电掺杂横向p-n同质结实现的可调谐WSe?光电晶体管”进行纠错
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