研究目的
通过胍溴化氢（GABr）对CsPbI3薄膜表面进行后处理，以降低能量损失并优化能带排列，从而开发高效的CsPbI3钙钛矿太阳能电池（PSCs）。
研究成果
对CsPbI3薄膜进行GABr后处理能有效降低非辐射复合并优化能带排列，使钙钛矿太阳能电池性能提升，光电转换效率达到18.02%。该方法也可惠及其他类型钙钛矿太阳能电池。
研究不足
该研究的局限性在于高浓度GABr可能导致GA+在CsPbI3薄膜表面累积，从而阻碍载流子传输并影响与PTAA薄膜的接触。
1：实验设计与方法选择：
研究采用GABr对CsPbI3薄膜进行后处理以提升PSC性能
2：样本选择与数据来源：
使用不同浓度GABr（0、1、2、3、4 mg/mL）处理的CsPbI3薄膜
3：4 mg/mL）处理的CsPbI3薄膜 实验设备与材料清单：
3. 实验设备与材料清单：掺氟氧化锡（FTO）玻璃、TiO2、GABr、CsPbI3、PTAA、金（Au）
4：GABr、CsPbIPTAA、金（Au） 实验流程与操作步骤：
4. 实验流程与操作步骤：制备结构为FTO/TiO2/GABr处理CsPbI3/PTAA/Au的PSC器件并进行表征
5：数据分析方法：
XRD、SEM、AFM、XPS、FTIR、光学吸收、PL、TRPL、飞秒瞬态吸收（fs-TA）、UPS、J-V测试
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获取完整内容-
FTO glass
Serving as the substrate for the device.
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TiO2
Electron-transport layer (ETL).
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GABr
Post-treatment on CsPbI3 film to enhance performance.
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CsPbI3
Light absorber layer.
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PTAA
Hole-transport layer (HTL).
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Au
Cathode.
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