研究目的
研究单层WS2中的超快电子冷却与衰减动力学，以理解其对光电器件应用的影响。
研究成果
研究表明，导带Q谷中的电子冷却过程发生在0.3皮秒的时间尺度上，而电子衰减主要通过缺陷俘获在数皮秒内完成。超高真空条件下的激光照射会增加陷阱态，从而影响载流子动力学。这一现象对于二维材料的光发射研究至关重要。
研究不足
该研究的局限性在于PEEM系统的分辨率以及激光照射过程中可能引入的缺陷，这些因素可能会影响材料的本征特性。
1：实验设计与方法选择：
采用时间与能量分辨的光发射电子显微镜（PEEM）研究超快电子动力学。
2：样品选择与数据来源：
制备并表征了p-Si和hBN衬底上的单层WS2样品。
3：实验设备与材料清单：
使用配备像差校正器和成像能量分析仪的高分辨率低能电子显微镜（LEEM）/PEEM系统。
4：实验步骤与操作流程：
通过飞秒激光脉冲泵浦-探测测量激发并探测电子动力学。
5：数据分析方法：
利用费米-狄拉克分布分析电子能量分布曲线（EDCs），以确定电子温度和衰减时间。
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