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[IEEE 2020年第八届国际电气工程大会(iEECON) - 泰国清迈 (2020.3.4-2020.3.6)] 2020年第八届国际电气工程大会(iEECON) - 超紧凑型纳米等离子体折射率传感器的设计与性能分析

DOI:10.1109/iEECON48109.2020.229582 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 本文提出了一种与矩形狭缝耦合的介质-金属-介质(DMD)等离子体波导结构,并采用有限元法(FEM)将其作为折射率传感器进行数值分析。通过改变不同结构参数以获得该结构的最大灵敏度。该几何结构中银作为金属层,其周围环绕着具有介电特性的待测材料(MUS)。利用折射率与透射峰位置之间的线性相关性实现材料检测。从这种简化结构中获得最大灵敏度为818纳米/折射率单位(RIU)。由于该简易结构易于实现纳米级制备,其在纳米光学器件和纳米芯片传感器领域具有潜在应用价值。
作者: Md. Farhad Hassan,Md. Moudud Hasan,Mohammed Radoan,Rakibul Hasan Sagor
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研究概述 实验方案 设备清单

研究一种采用介质-金属-介质(DMD)等离子体波导与矩形狭缝耦合的超紧凑型纳米等离子体折射率传感器的设计与性能。

所提出的由DMD波导构成的简易矩形纳米级等离子体折射率传感器实现了818 nm/RIU的灵敏度。该结构具有可制造性且性能优异,适用于纳米光学器件和纳米芯片传感器的实际应用。

该研究仅限于数值模拟,未包含实验验证。虽然承认纳米级制造的复杂性,但所提出的结构相较于其他设计更为简单。

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