研究目的
用于高功率激光辐射多结转换器的p-i-n GaAs/AlGaAs隧道二极管的开发与研究。
研究成果
该研究确立了p-i-n隧道二极管的峰值电流密度与i型层厚度之间的非单调依赖关系,其中最佳厚度对应的峰值电流密度为280 A/cm2。实验制备的p-i-n隧道二极管实现了高达200 A/cm2的峰值电流密度,其特性与计算结果高度吻合。
研究不足
在Ga(Al)As中实现n型导电性的复杂性、铍原子的异常扩散现象,以及对精确控制外延生长温度和掺杂剂引入的需求。
研究目的
用于高功率激光辐射多结转换器的p-i-n GaAs/AlGaAs隧道二极管的开发与研究。
研究成果
该研究确立了p-i-n隧道二极管的峰值电流密度与i型层厚度之间的非单调依赖关系,其中最佳厚度对应的峰值电流密度为280 A/cm2。实验制备的p-i-n隧道二极管实现了高达200 A/cm2的峰值电流密度,其特性与计算结果高度吻合。
研究不足
在Ga(Al)As中实现n型导电性的复杂性、铍原子的异常扩散现象,以及对精确控制外延生长温度和掺杂剂引入的需求。
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