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掺镁氧化锌纳米粒子薄膜作为氧化锌电子传输层与磷化铟量子点层之间发光二极管的中间层

DOI：10.1021/acs.jpcc.0c00351 期刊：The Journal of Physical Chemistry C 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 由于具有从可见光区到近红外区的宽发射光谱可调谐性，基于磷化铟的胶体量子点（QDs）在下一代全彩显示器和固态照明领域展现出巨大应用前景。研究人员通过采用镁掺杂氧化锌纳米颗粒（ZnMgO NPs）作为电子传输层氧化锌与活性磷化铟量子点层之间的中间层，制备出性能提升的磷化铟量子点发光器件（QLEDs）。研究发现，ZnMgO NPs能降低电子注入并抑制激子猝灭，这归因于器件中电荷平衡的改善。我们成功实现了高效红光和绿光QLEDs的最大电流效率分别达到5.46和5.91 cd/A，显著高于未使用ZnMgO NP层的对照器件（2.31和2.36 cd/A）。这些结果表明该方法是提升无重金属QLEDs商业化应用的有效途径。
作者： Lishuang Wang，Jie Lin，Xingyuan Liu，Sheng Cao，Yunjun Wang，Jialong Zhao，Bingsuo Zou
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

通过使用Mg掺杂ZnO纳米颗粒作为ZnO电子传输层与InP量子点层之间的中间层，以改善电荷平衡并抑制激子猝灭，从而提升InP量子点发光二极管（QLED）的性能。

研究成果

在InP量子点发光二极管（QLEDs）中引入掺镁氧化锌（Mg doped-ZnO）纳米颗粒作为中间层，通过改善电荷平衡和抑制激子猝灭显著提升了器件性能，从而获得更高的电流效率。该方法为开发高性能、无重金属的商用QLEDs提供了一种可行策略。

研究不足

该研究仅限于使用InP量子点和Mg掺杂ZnO纳米颗粒，其制备工艺的可扩展性和重现性可能存在限制。性能对比主要针对不含ZnMgO中间层的器件，未广泛涵盖与其他中间层材料的更广泛比较。

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