研究目的
研究LTPS-AMOLED阳极湿法刻蚀过程中生成的含银化合物,了解其形成机理,并提出解决方案以减轻其在电场作用下生长和迁移所导致的可靠性失效。
研究成果
该研究成功揭示了LTPS-AMOLED制造过程中含银化合物的形成机制,并提出了若干有效解决方案以缓解可靠性失效问题。其中最具普适性的氧化铟锡(ITO)阻挡层方案已成功应用于量产,显著提升了产品可靠性。
研究不足
该研究仅限于维信诺生产线的特定条件,可能无法涵盖其他制造环境中的所有变量。所提出的解决方案需要在不同的产品设计和制造工艺中进行进一步验证。
1:实验设计与方法选择:
本研究基于维信诺柔性/刚性LTPS-AMOLED生产线的前沿实验。采用刚性产品的常规LTPS工艺流程制备AMOLED驱动电路的TFT背板。
2:样品选取与数据来源:
样品取自维信诺生产线,重点关注发现含银化合物的区域。
3:实验设备与材料清单:
包括Orbotech Quantum IC6HRS自动光学检测仪、MERLIN-349599-9001-010扫描电镜、AURIGA-346599-9001-000聚焦离子束截面分析仪、OXFORD-51-XMX1004能谱仪、Nikon ECLIPSE L300N金相显微镜及Tektronix TDS2024C示波器。
4:实验流程与操作步骤:
研究涉及LTPS-AMOLED面板制备、含银化合物识别、形成机理分析及其在电场作用下的响应测试与去除尝试。
5:数据分析方法:
通过扫描电镜、聚焦离子束、能谱仪和光学检测分析含银化合物的成分与行为特性。
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