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（特邀）利用Mextram模型研究SiGe HBT的线性特性与紧凑建模

DOI：10.1149/08607.0145ecst 期刊：ECS Transactions 出版年份：2018 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 本文阐述了SiGe HBT射频线性的基本原理，并采用Mextram 504.12及最新版Mextram 505.00模型对共射极和共基极配置进行紧凑建模。研究表明集电结耗尽电容模型对精确模拟IP3峰值特性至关重要，为此Mextram 505.00引入了两种新选项。雪崩系数的电流依赖性被证实对IP3峰值的精确建模具有重要影响——这一特性在新兴射频应用中愈发关键，此类应用要求SiGe HBT在负基极电流条件下工作于更高集电极-基极电压(VCB)。
作者： Guofu Niu，Huaiyuan Zhang，Yiao Li，Xuewei Ding，Marnix Willemsen，Andries Scholten
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究SiGe HBT射频线性的基本原理及其采用Mextram模型对共射和共基配置的紧凑建模。

研究成果

研究表明，Mextram在较低VBE条件下对三阶输出电流的实部、虚部及幅值建模表现出色。对于共发射极工作模式，新引入的模型能显著提升IP3峰值特性的建模精度；对于共基极工作模式，则可采用新型雪崩模型的电流依赖参数来建模IP3峰值特性。

研究不足

该研究指出了高VBE建模中的挑战，特别是共发射极工作模式下，集电极-基极耗尽电容控制电压及其平滑限幅对IP3峰值行为的建模至关重要。对于共基极工作模式，新型雪崩模型的电流依赖参数可用于模拟IP3峰值行为，但在同时拟合IB和IP3方面存在局限性。

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