研究目的
研究高温对3C-SiC/Si紫外(UV)光电探测器(PD)关键性能参数的影响,以适用于高温环境应用。
研究成果
3C-SiC紫外光电探测器在高达200°C的高温下展现出高灵敏度、快速响应和良好稳定性,适用于高温光子学应用。该器件在低工作电压下的优异性能及其具有成本效益的制备工艺是显著优势。
研究不足
该研究的局限性在于所使用的温度范围(最高200°C)和特定波长的紫外光(254 nm)。由于晶格散射导致的高温下性能下降也是一个限制因素。
研究目的
研究高温对3C-SiC/Si紫外(UV)光电探测器(PD)关键性能参数的影响,以适用于高温环境应用。
研究成果
3C-SiC紫外光电探测器在高达200°C的高温下展现出高灵敏度、快速响应和良好稳定性,适用于高温光子学应用。该器件在低工作电压下的优异性能及其具有成本效益的制备工艺是显著优势。
研究不足
该研究的局限性在于所使用的温度范围(最高200°C)和特定波长的紫外光(254 nm)。由于晶格散射导致的高温下性能下降也是一个限制因素。
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