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锰掺杂通过减少离子迁移来稳定钙钛矿发光二极管

DOI：10.1021/acsaelm.0c00125 期刊：ACS Applied Electronic Materials 出版年份：2020 更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要： 卤化铅钙钛矿发光二极管近期已成为高性能器件。然而其存在快速降解问题，该现象被归因于这类钙钛矿的混合离子-电子特性。锰掺杂可提升钙钛矿发光二极管的稳定性，但锰掺杂对离子迁移的影响尚未明确。我们采用阻抗谱和瞬态离子漂移测量法，研究了锰掺杂对PEABr0.2Cs0.4MA0.6PbBr3准体相二维/三维钙钛矿发光二极管中离子迁移的影响。研究发现锰掺杂使离子迁移活化能提升两倍并降低扩散系数。这些可移动离子行为的改变有助于解释锰掺杂提升钙钛矿发光二极管稳定性的机理，同时深化了对钝化剂影响离子迁移（进而影响器件稳定性）机制的理解。
作者： Moritz H. Futscher，Mahesh K. Gangishetty，Daniel N. Congreve，Bruno Ehrler
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研究概述 实验方案 设备清单

研究目的

研究锰掺杂对钙钛矿发光二极管中离子迁移的影响以提高其稳定性。

研究成果

锰掺杂显著提高了钙钛矿发光二极管中离子迁移的活化能并降低了扩散系数，从而提升了器件稳定性。该发现揭示了钝化剂在调控离子迁移及增强钙钛矿基光电器件性能中的作用机制。

研究不足

该研究仅限于PEABr0.2Cs0.4MA0.6PbBr3准块体二维/三维钙钛矿的特定组分，可能无法直接适用于其他钙钛矿组分。此外，锰掺杂对离子迁移影响的潜在机制仍需进一步探究。

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