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通过裂纹薄膜光刻技术形成的金属网格中的宏观非均匀性可实现19.3%效率的太阳能电池

DOI:10.1021/acsami.0c04958 期刊:ACS Applied Materials & Interfaces 出版年份:2020 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 裂纹膜光刻(CFL)是一种新兴的透明导电金属网格图案化方法。该方法无需真空和银材料,且形成的网格比纳米线方案更耐用。尽管CFL在透光率/网格方阻/线间距的平衡方面表现优异,但此前太阳能电池的演示性能相对较低。本研究通过在网格中引入宏观非均匀性,改善了小面积铜铟镓硒(Cu(In,Ga)Se2)电池的短路电流密度/填充因子平衡。优化后的基准网格性能与具有微观开口和宏观图案的CFL网格相当,最终实现了19.3%效率的电池。模拟表明,均匀的CFL网格通过图案化得到增强,因为这能更好地平衡阴影效应、网格电阻和透明导电氧化物电阻损耗。通过薄膜组件效率计算突出了金属网格通过消除透明导电氧化物损耗和拓宽单体结构带来的性能提升。预测将本工作展示的图案化CFL网格应用于铜铟镓硒组件,可比丝网印刷网格实现0.7%(绝对值)的效率提升。
作者: Christopher P. Muzzillo,Matthew O. Reese,Lorelle M. Mansfield
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研究概述 实验方案 设备清单

为展示裂纹膜光刻技术(CFL)如何用于太阳能电池透明导电金属栅格的图案化,通过引入宏观非均匀性来平衡遮光效应、栅格电阻及透明导电氧化物电阻损耗,从而提升电池效率。

通过引入宏观非均匀性,冷阴极荧光灯(CFL)可用于制造高性能透明导电金属网格用于太阳能电池。该方法在小面积铜铟镓硒(CIGS)电池中达到了优化基线网格的性能水平,实现了效率为19.3%的器件。模拟和计算表明,图案化的CFL网格可通过减少透明导电氧化物(TCO)损耗并实现更宽的单片结构,显著提高组件效率。

该研究的局限性在于接近剥离失效条件时CFL工艺的可重复性,以及针对更大面积应用时网格设计仍需进一步优化。

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