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银金属辅助化学刻蚀制备的n型硅纳米线:制备与光学特性

DOI:10.1016/j.mssp.2018.10.026 期刊:Materials Science in Semiconductor Processing 出版年份:2019 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 本文报道了采用银(Ag)金属辅助化学刻蚀(MACE)法制备硅纳米线(SiNWs)的研究。选用掺磷电阻率为1÷10 Ω×cm的n型Si(100)晶圆进行样品制备。将硅晶圆浸入4.6 M氢氟酸(HF)和硝酸银(AgNO3)溶液中(浓度变化范围15-35 mM),使直径约30 nm的银颗粒作为催化金属在晶圆表面聚集1分钟。随后,覆盖银颗粒的硅晶圆在4.8 M HF与0.4 M过氧化氢(H2O2)混合溶液中进行刻蚀以形成垂直排列的硅纳米线。研究发现:随着AgNO3浓度增加,硅纳米线的尺寸和密度逐渐减??;经过约30-40分钟的延迟期后,硅纳米线生长与刻蚀时间呈线性关系。室温下观测到制备的硅纳米线具有两个清晰发光带,分别位于450 nm(~2.75 eV)和700 nm(~1.77 eV)附近。文中对这两个发光带的起源及对比特性进行了阐述与讨论。
作者: Le Thanh Cong,Nguyen Thi Ngoc Lam,Nguyen Truong Giang,Pham The Kien,Nguyen Duc Dung,Ngo Ngoc Ha
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研究概述 实验方案 设备清单

研究通过银(Ag)金属辅助化学刻蚀(MACE)法制备硅纳米线(SiNWs)及其光学特性。

采用MACE法在室温下成功制备了尺寸为100至200纳米的垂直排列n型硅纳米线。蚀刻条件对材料光学特性影响甚微,但光致发光强度取决于金属催化剂网络分布。该研究结果为硅纳米线制备工艺提供了应用导向的补充认知,尤其适用于新型结构硅基太阳能电池和锂离子电池负极领域。

该研究聚焦于采用银颗粒作为催化金属、通过金属辅助化学刻蚀法制备硅纳米线及其光学特性,未探究其他催化金属或不同刻蚀条件的影响。

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