研究目的
展示了一种在室温下工作且具有高圆二色性的金属氮化镓伽马形纳米腔圆偏振激光器。
研究成果
该研究成功展示了基于金属包覆GaNγ形结构的紫外波长手性纳米激光器，这些激光器能在室温下实现高圆偏振度激射。其微小尺寸使其适用于需要圆偏振光子的芯片级集成系统。
研究不足
该研究受限于腔体制备的缺陷，以及纳米腔设计中进一步提升非对称因子的潜在优化空间。
1：实验设计与方法选择：
该研究利用γ形金属腔和氮化镓（GaN）在紫外（UV）波长下展示了手性半导体纳米激光器。方法包括采用有限元法进行数值计算以及光学表征技术。
2：样品选择与数据来源：
样品由生长在c面蓝宝石衬底上的2微米厚未掺杂GaN作为增益介质组成。γ形图案通过电子束光刻定义并转移到GaN层上。
3：实验设备与材料清单：
设备包括三倍频355纳米Nd:YVO4脉冲激光器、配备电荷耦合器件探测器的光谱仪以及时间分辨光致发光装置。材料涉及GaN、用于涂层的铝以及用于蚀刻掩模的Si3N4。
4：实验步骤与操作流程：
GaN γ形金属腔在室温下进行光泵浦。收集并分析激光信号以评估圆二色性和不对称因子。
5：数据分析方法：
分析包括测量激光强度、线宽和不对称因子以评估手性纳米激光器的性能。
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获取完整内容-
Nd:YVO4 pulse laser
355-nm
Optical pumping of the GaN gammadion metal cavities
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spectrometer
Collecting and analyzing the lasing signal
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charge-coupled device detector
Detecting the lasing signal
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Ti:sapphire pulse laser
266-nm
Used in TRPL measurements
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