研究目的
研究通过在p型区使用超晶格四元氮化物合金来提升深紫外发光二极管（DUV LEDs）的性能。
研究成果
所提出的带有超晶格p型AlInGaN层的深紫外LED显著提升了性能，包括光输出功率和内量子效率，同时降低了效率下降问题。该设计为增强深紫外LED性能提供了有前景的解决方案。
研究不足
该研究基于模拟，需要通过实际实验验证来确认研究结果。性能提升是理论上的，在实际应用中可能会有所不同。
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基于AlInGaN的超晶格p区用于提升深紫外LED性能
DOI：10.1016/j.optmat.2020.109846
期刊：Optical Materials
出版年份：2020
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
提出了一种由特殊设计的中间p型区构成的深紫外发光二极管（DUV LED），该区域包含超晶格四元氮化物合金。研究发现，在200 A/cm2电流密度下，该结构的出光功率显著提升，约为传统结构的28.30倍。其最大内量子效率比传统结构高出153.63%，且效率衰减降低了99.08%。超晶格p-AlInGaN层提供的应变补偿消除了陡峭势垒，为增强有源区空穴注入提供了有效方案，从而显著提升了DUV LED的性能。
作者：
Ramit Kumar Mondal，Vijay Chatterjee，Suchandan Pal
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