研究目的
提出一种完全片上集成的LED驱动器设计方案,该方案采用氮化镓(GaN)器件异质集成于BCD电路之上的技术实现,并将其性能与传统完全板级集成的功率器件与LED驱动集成电路(IC)进行对比。
研究成果
在4.5–5.5V输入电压范围内,全芯片集成LED驱动器相比全板载设计实现了持续更高的效率值,最大效率提升百分比达18%。未来工作包括通过集成片上磁性元件进一步提高集成度并进一步降低寄生电感。
研究不足
该研究聚焦于4.5–5.5 V的输入电压范围,未探讨片上磁性元件的集成或通过PCB设计进一步降低寄生电感的问题。
1:实验设计与方法选择:
本研究采用准谐振浮动降压转换器设计以实现高频运行与高功率效率,其设计涉及氮化镓器件在BCD电路上的异质集成。
2:样本选择与数据来源:
实验使用定制氮化镓大功率FC LED和EPC2036氮化镓场效应管。
3:实验设备与材料清单:
包括EPC2036氮化镓场效应管、定制氮化镓LED、BCD电路及用于验证的印刷电路板。
4:实验流程与操作步骤:
该过程包含将氮化镓元件倒装键合至BCD电路上,随后进行回流焊与晶圆切割,性能通过印刷电路板评估板进行测试。
5:数据分析方法:
在4.5-5.5V输入电压范围内,比较片上集成LED驱动器与板载设计的功率效率表现。
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