研究目的
通过基于密度泛函理论的第一性原理计算弹性常数，研究纤锌矿结构GaN的电子、结构和力学性能。
研究成果
该研究成功利用B3LYP和B3PW杂化泛函模拟了纤锌矿氮化镓的电子、结构和力学性质。结果与理论和实验数据高度吻合，证明了这些泛函在研究此类材料中的实用性。
研究不足
计算模型将系统视为无缺陷的完美晶体，这可能导致与实验结果出现偏差。理论结果之间的差异可能源于不同的理论方法。
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GaN弹性常数与电子性质的第一性原理模拟
DOI：10.2174/18779468113036660032
期刊：Current Physical Chemistry
出版年份：2014
更新时间：2025-09-23 15:21:01
摘要：
采用密度泛函理论水平下的B3LYP和B3PW杂化泛函进行计算机模拟，研究了纤锌矿相GaN的电子结构、晶体结构特性及弹性常数。通过能带结构和态密度分析考察电子性质，通过计算弹性常数（C11、C33、C44、C12和C13）研究力学性能。结果表明价带顶和导带底均位于Γ点，证实GaN为直接带隙半导体。B3LYP和B3PW方法获得的弹性常数（括号内为B3PW结果）分别为：C11=366.9[372.4]、C33=390.9[393.4]、C44=99.1[96.9]、C12=143.6[155.2]、C13=107.6[121.4]。
作者：
Júlio R. Sambrano，Elen C.M. Toniatto
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