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退火处理对紫外辐射发射型Gd3+掺杂SrAl2O4基质的结构、光学及电子顺磁共振特性的影响

DOI:10.1007/s11664-018-6760-1 期刊:Journal of Electronic Materials 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:21:01
摘要: 通过溶液燃烧法合成了发射紫外B(UVB)辐射的掺杂Gd3?的SrAl?O?样品。采用粉末X射线衍射、光致发光和电子顺磁共振(EPR)技术对制备态及退火样品进行表征,鉴定出单斜晶相SrAl?O?。研究发现,热退火处理能显著改善Gd3?掺杂SrAl?O?样品的光致发光性能。光致发光研究表明,在273 nm激发下,该样品因Gd3?离子的6P?/?→8S?/?和6P?/?→8S?/?跃迁而发射UVB辐射。EPR研究显示制备态样品中Gd3?存在于低对称性的Sr2?位点,而退火后样品的信号强度急剧减弱。
作者: VIJAY SINGH,N. SINGH,M.S. PATHAK,V. NATARAJAN
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研究概述 实验方案 设备清单

通过退火效应研究掺杂Gd3+的SrAl2O4基质材料发射紫外辐射的结构、光学及电子顺磁共振特性。

退火显著改善了掺杂Gd3+的SrAl2O4的光致发光性能,其在UVB区域的发射对医疗应用具有价值。电子顺磁共振研究表明,制备态样品中Gd3+存在于低对称性的Sr2+位点,且退火后信号强度降低。

本研究仅限于退火对掺杂Gd3+的SrAl2O4的结构、光学和EPR性质的影响。研究范围不包括对其他掺杂剂或基质材料的调查。

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