研究目的
研究III族氮化物短周期超晶格（SPSLs）的独特性质，以设计发射深紫外光且活性层位错密度显著降低的发光器件。
研究成果
研究表明，平均氮化铝（AlN）含量高达yave~0.7、带隙超过5.1电子伏特（eV）的p型和n型AlN/AlxGa1?xN超晶格结构（SPSLs），其空穴和电子浓度可超过10^18 cm?3。在这些超晶格结构上能形成低电阻欧姆接触，其比接触电阻低于~4×10?5 Ω·cm2。不同研究团队已成功制备出基于此类超晶格结构、发射波长介于290至232纳米之间的发光二极管（LED）。
研究不足
技术限制包括：由于某些结构中缺少电子阻挡层，实现深紫外LED高效率存在困难；以及有源层中量子点的比例和分布存在优化潜力。应用限制涉及需要在廉价模板或块状AlN衬底上进一步发展生长技术。
1：实验设计与方法选择：
该综述讨论了采用分子束外延（MBE）和金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法生长III族氮化物超晶格结构，重点关注具有原位监测能力的MBE技术。
2：样品选择与数据来源：
样品生长于（0001）蓝宝石、Si（111）以及（0001）GaN/蓝宝石模板衬底上。
3：实验设备与材料清单：
设备包括MBE和MOCVD系统，材料为III族氮化物化合物及其合金。
4：实验步骤与操作流程：
详细流程包括利用反射高能电子衍射（RHEED）监测生长过程，并通过分析RHEED图谱控制结构特性。
5：数据分析方法：
采用高分辨X射线衍射（HR-XRD）和拉曼测量评估应变与位错密度，同时结合透射电子显微镜（TEM）实现纳米级分辨率分析。
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Molecular Beam Epitaxy (MBE) system
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Growth of III-Nitride SPSLs
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Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) system
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Growth of III-Nitride SPSLs
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Reflection High Energy Electron Diffraction (RHEED) system
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Monitoring the growth process of SPSLs
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High Resolution X-ray Diffraction (HR-XRD) system
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Estimation of strain and dislocation density in SPSLs
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Transmission Electron Microscopy (TEM) system
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Nanoscale resolution imaging of SPSLs
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