研究目的
研究基于硅纳米晶体嵌入式槽型光子晶体波导中受激拉曼散射的可集成全硅全光通断开关的设计与性能。
研究成果
所提出的全硅全光通断开关在125 Gbps速率下实现了成功切换,具有27 dB的高对比度,为片上光开关应用提供了潜力。
研究不足
该设备的性能可能受到SiNC/SiO2中非瞬时SRS相互作用的影响,在高重复频率下导致脉冲时间展宽。
研究目的
研究基于硅纳米晶体嵌入式槽型光子晶体波导中受激拉曼散射的可集成全硅全光通断开关的设计与性能。
研究成果
所提出的全硅全光通断开关在125 Gbps速率下实现了成功切换,具有27 dB的高对比度,为片上光开关应用提供了潜力。
研究不足
该设备的性能可能受到SiNC/SiO2中非瞬时SRS相互作用的影响,在高重复频率下导致脉冲时间展宽。
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