研究目的
研究溶液法制备的铟镓锌氧化物（IGZO）薄膜的低温热预算原位微波退火技术，作为传统高热预算退火工艺的潜在替代方案。
研究成果
单步微波退火法制备的薄膜晶体管（TFT）比多步退火和常规退火方法获得的器件具有更优异的电学特性。原位微波退火比传统退火更能有效改善薄膜表面及内部质量，使其成为溶液法加工中极具前景的替代方案。
研究不足
该研究聚焦于溶液法制备的IGZO薄膜，可能不直接适用于其他方法沉积的薄膜。比较仅限于特定的退火方法和条件。
1：实验设计与方法选择：
本研究比较了单步和多步原位微波退火方法与传统退火方法对IGZO薄膜晶体管（TFT）的影响。
2：样品选择与数据来源：
采用溶胶-凝胶反应法，使用特定前驱体和溶剂合成了IGZO前驱体溶液。
3：实验设备与材料清单：
微波退火系统、安捷伦4156B半导体参数分析仪、安捷伦精密LCR表4284A、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见分光光度计。
4：4A、X射线光电子能谱（XPS）、紫外-可见分光光度计。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：将IGZO前驱体溶液旋涂在栅极氧化层上，随后采用不同方法进行热处理（烘烤和沉积后退火），并测量其电学特性和可靠性。
5：数据分析方法：
分析电学参数，并利用XPS和SE研究热处理对薄膜成分和能带结构的影响。
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Agilent 4156B semiconductor parameter analyzer
4156B
Agilent
Measuring the electrical characteristics of semiconductor devices.
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Agilent precision LCR meter 4284A
4284A
Agilent
Measuring parasitic capacitances.
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X-ray photoelectron spectroscopy
Characterizing the chemical bonding states of the IGZO films.
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Ultraviolet–visible spectrophotometer
Evaluating the energy band structures of the IGZO films.
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