研究目的
通过异价取代设计和合成具有宽带隙和强二次谐波响应的新型非线性光学(NLO)晶体。
研究成果
该研究通过异价取代成功合成了一种新型NLO晶体Pb2GaF2(SeO3)2Cl，具有宽禁带和强SHG响应。该方法为开发具有理想性能的高效NLO晶体铺平了道路。
研究不足
该研究聚焦于一种特定非线性光学晶体的合成与表征，虽在带隙和二次谐波响应方面展现出显著提升，但该材料的实际应用及规?；孕杞徊教骄?。
Pb?GaF?(SeO?)?Cl：通过异价取代实现带隙扩大同时保持强二次谐波响应的能带工程策略
DOI：10.1021/jacs.8b11485
期刊：Journal of the American Chemical Society
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
宽带隙与强二次谐波（SHG）效应是实用非线性光学（NLO）材料中两个关键但相互矛盾的条件。本研究通过异价取代的理性能带工程策略，设计并合成了一种含新型功能(GaO3F3)6?八面体的NLO晶体Pb2GaF2(SeO3)2Cl（I）。得益于过渡金属阳离子的移除和桥接F阴离子的引入，I在所有已报道的可相位匹配NLO亚硒酸盐中展现出最宽的带隙，同时保持了超过4.5倍KH2PO4（KDP）的强SHG响应。第一性原理研究阐明了(GaO3F3)6?基团对I中带隙增大的主导作用。
作者：
Fengguang You，Qian Huang，Fei Liang，Zheshuai Lin，Zhanggui Hu，Yicheng Wu
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