研究目的
研究氮化硼衬底如何影响石墨烯纳米带（包括扶手椅型和锯齿型纳米带）的电子特性，以理解其电子结构的变化及实现马约拉纳束缚态的潜力。
研究成果
六方氮化硼的存在能显著改变石墨烯纳米带的电子结构，尤其对锯齿形纳米带而言，它会诱导边缘态产生强烈的自旋分裂。通过改变堆叠构型可调控这一效应，为自旋电子学及准一维拓扑超导态的实现提供潜在应用。
研究不足
该研究仅限于计算建模，未包含实验验证。虽考虑了层间距离和堆叠构型的变化影响，但实际条件可能引入更多复杂因素。
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六方氮化硼上石墨烯纳米带的电子结构
DOI：10.1103/PhysRevB.98.205415
期刊：Physical Review B
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
六方氮化硼因其可剥离至仅几个原子厚度且缺陷密度极低，成为构建二维异质结构的理想介电材料。将石墨烯纳米带置于高质量六方氮化硼上，能形成具有超高迁移率的理想准一维系统。鉴于高质量一维电子系统在邻近超导体时可实现马约拉纳束缚态的有效调控，其制备具有重要研究价值。本研究探讨了氮化硼衬底对石墨烯纳米带电子特性的影响，分析了扶手椅型与锯齿型两种纳米带构型。结果表明：特定堆叠构型下，氮化硼会显著改变纳米带的电子结构——特别是锯齿型纳米带边缘因自旋与子晶格自由度存在耦合，六方氮化硼可诱导出极强的自旋极化边缘态能级分裂，该分裂能高达40毫电子伏特。
作者：
Yohanes S. Gani，D. S. L. Abergel，Enrico Rossi
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