研究目的
在超高真空环境中研究不同掺杂水平单根高纵横比硅针尖的光敏性。
研究成果
研究表明，单个高纵横比硅尖端的电流饱和水平和光敏性取决于掺杂水平和尖端结构（如是否存在p/n结）。电流饱和水平随掺杂水平的提高而降低。
研究不足
该研究仅限于超高真空条件下的单高纵横比硅尖端。本征高纵横比硅尖端表现出场发射行为不稳定，且未发现明显的光敏性证据。
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 不同掺杂水平单硅高纵横比尖端的感光性
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[IEEE 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 日本京都(2018年7月9日至13日)] 2018年第31届国际真空纳米电子学会议(IVNC) - 不同掺杂水平单硅高纵横比尖端的感光性
DOI：10.1109/IVNC.2018.8520288
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
在超高真空环境中研究了单根轻掺杂、重掺杂、集成p/n结以及本征高深宽比（HAR）硅尖端的光敏性。轻掺杂p型HAR尖端的电流-电压特性（I-V）显示出约10-12纳安的典型电流饱和现象，而带有p/n结的HAR硅尖端也表现出类似的饱和现象，但起始电流值小得多，约为20-30皮安。在卤素灯照射下的光开关效应使两种结构的饱和电流至少提高了2-4倍，并显示出光照功率与场发射电流之间的线性关系。对于重掺杂HAR尖端，光电流开关效应（即电流饱和）在相当低的电流水平1-2皮安时就被观察到。本征HAR硅尖端显示出相对不稳定的场发射行为，且未发现明确的光敏性证据。
作者：
P. Serbun，V. Porshyn，D. Lützenkirchen-Hecht，C. Prommesberger，C. Langer，R. ?awrowski，R. Schreiner
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