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(Sn1?xMgxO)薄膜的结构特性及γ射线辐照下光学参数的依赖性

DOI:10.1007/s11664-018-6782-8 期刊:Journal of Electronic Materials 出版年份:2018 更新时间:2025-09-23 15:21:21
摘要: 采用化学喷雾热解技术在玻璃基板上制备了锡镁氧化物(Sn1?xMgxO)薄膜,并使用Co-60放射源对样品进行γ射线辐照。X射线衍射表明所有制备的薄膜均为四方结构的 polycrystalline 材料,且晶粒优先沿(110)晶面生长。总体而言,随着Mg掺杂浓度从0%增至8%,平均晶粒尺寸、晶格常数、位错密度和晶粒密度均呈下降趋势。原子力显微镜观测显示薄膜表面光滑均匀。通过紫外-可见分光光度法测得光学性能,对比了所有样品辐照前后的透射率和吸收光谱,研究了辐照前后吸收系数、消光系数以及介电常数的实部和虚部。结果显示:未辐照时,禁带宽度随Mg掺杂浓度从0%增至8%从3.94 eV降至3.72 eV;辐照后则从3.92 eV降至3.59 eV。所有光学常数在掺杂比例增加时均呈现上升趋势(无论辐照与否)。能谱分析表明:未掺杂样品仅含Sn和O元素,而掺杂样品包含SnO2和Mg元素。
作者: ZIAD T. KHODAIR,MUSHTAQ ABED AL-JUBBORI,ABDULSALAM M. HASSAN,MUTAZ SALIH ALJUBOORI,FADHIL I. SHARRAD
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本工作旨在采用化学喷雾热解技术制备Sn1?xMgxO薄膜,随后将这些薄膜置于Co-60放射性源发射的1.332 MeV和1.173 MeV能量伽马射线辐照下。通过使用合适的剂量计测定环境辐射水平,并利用X射线衍射、原子力显微镜和能量色散X射线光谱研究了辐照对Sn1?xMgxO薄膜结构特性和光学特性的影响。

本文通过X射线衍射对Sn1?xMgxO薄膜的结构分析表明,样品为具有四方结构的 polycrystalline(多晶)。测得的所有镁浓度下,平均晶粒尺寸和晶格常数均随镁浓度增加而减小。此外,结构参数、位错密度和晶粒密度随镁掺杂浓度增加而增大;而织构系数(Tc)值均大于一。经伽马射线辐照后,Sn1?xMgxO薄膜的光学带隙值和透射率降低,而消光系数和介电常数等光学参数则增大。能谱(EDS)分析显示,所有样品中Sn1?xMgxO薄膜的主要成分为Sn(Ka, La)和O(Ka)。

该研究仅限于γ射线辐照对化学喷雾热解法制备的Sn1?xMgxO薄膜的影响。研究未涉及其他沉积技术或辐照源。此外,研究聚焦于特定范围的镁掺杂浓度(0%至8%),未探究此范围之外的影响。

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