研究目的
研究二维混合有机-无机卤化物钙钛矿半导体在电场诱导下的吸收光谱和光致发光光谱变化，以理解斯塔克位移以及光激发后电偶极矩和极化率变化的幅度。
研究成果
研究得出结论：N1的E-A光谱可通过斯塔克位移进行解释，光激发后其电偶极矩和极化率发生显著变化。外加电场会使N1的光致发光淬灭，且不同激子发射与陷阱发射的淬灭效率存在差异。
研究不足
该研究受样本条件及所施加电场方向的局限，可能影响E-A光谱的解读。未知弱吸收带的存在使分析更为复杂。
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(C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>有机-无机量子阱的电吸收光谱积分法分析及电致发光研究
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(C<sub>4</sub>H<sub>9</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>PbI<sub>4</sub>有机-无机量子阱的电吸收光谱积分法分析及电致发光研究
DOI：10.1021/acs.jpcc.8b08116
期刊：The Journal of Physical Chemistry C
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
对二维杂化有机-无机卤化物钙钛矿半导体((C4H9NH3)2PbI4)（N1）进行了电场诱导的吸收光谱、光致发光（PL）光谱及PL衰减曲线变化的测量。通过假设斯塔克位移，分析了室温及45K低温下观测到的电吸收（E-A）光谱，确定了光激发后电偶极矩和极化率变化的大小。45K低温E-A光谱中观测到的强信号被解释为：由光激发后极化率大幅改变导致的极斯塔克位移效应极其显著的弱吸收带。该化合物的电致发光光谱（即场诱导PL光谱变化）显示，外加电场会猝灭N1的PL。场效应对PL衰减曲线的影响表明，猝灭既源于光激发后发射态布居数的场致减少，也源于发射态非辐射衰减速率增强导致的场致寿命缩短。在45K低温下，出现分别源自不同相态的两种激子发射，且两者被施加电场以不同效率猝灭。同时还发现：低温下波长长于尖锐激子带的陷阱发射具有比激子发射更高效的场致猝灭效应，这表明电场会减缓光激发态向陷阱态的能量转移。
作者：
Vidya Kattoor，Kamlesh Awasthi，Nobuhiro Ohta，Eric Wei-Guang Diau，Efat Jokar
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