研究目的
探索基于氮化镓晶体的纳米电子学和光电子学潜在应用，重点研究氮化镓基薄膜与纳米结构的制备及表征。
研究成果
本期特刊重点介绍了用于纳米电子和光电子应用的纳米结构氮化镓基化合物制备技术的进展，强调了高质量氮化镓基化合物对器件应用的重要性——确保载流子平均自由程大于器件尺寸规模。收录论文展示了提升氮化镓/氮化铝镓异质结构质量和效率的多种技术，揭示了氮化镓量子器件应用的发展前景。
研究不足
这期特刊没有详细说明六篇论文所开展实验中的具体技术限制或优化领域。
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氮化镓晶体的进展及其应用
DOI：10.3390/cryst8030117
期刊：Crystals
出版年份：2018
更新时间：2025-09-23 15:21:21
摘要：
本期特刊探讨了氮化镓(GaN)基晶体在纳米电子学和光电子学两大领域的潜在应用。内容聚焦于GaN基薄膜与纳米结构的制备与表征，共收录六篇论文，展示了GaN相关技术在高效可持续电子及光电器件领域的最新进展——包括AlN层在高性能AlGaN/GaN异质结构中对先进高迁移率电子应用的作用，以及基于GaN的纳米棒高效发光二极管在光电子应用中的模拟研究。通过这些成果，读者可以了解先进GaN基纳米结构晶体在纳米电子和光电器件制造方面的前沿知识与实践经验。
作者：
Ikai Lo
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