1：实验设计与方法选择：

本研究采用技术计算机辅助设计（TCAD）模拟，评估基于ITRS 2013路线图设计的5纳米节点硅纳米线场效应晶体管（Si NWFET）结构中的自旋霍尔效应（SHE）。

2：样本选择与数据来源：

该结构采用氮化钛（TiN）作为栅极材料，沟道厚度为4纳米，等效氧化层厚度（EOT）为1纳米。沟道掺杂浓度设定为8.3×10^17 cm^-3。

3：3×10^17 cm^-3。 实验设备与材料清单：

3. 实验设备与材料清单：模拟考虑了各区域的热导率，并采用薄层模型处理细沟道电流，以及热力学模型处理自旋霍尔效应。

4：实验步骤与操作流程：

模拟分析了直流和交流特性，包括IV曲线、热阻和瞬态特性。

5：数据分析方法：

分析重点在于功耗与晶格温度升高的关系，以及栅极脉冲对自旋霍尔效应的影响。