研究目的
研究宽禁带AlInGaN四元合金上(Ni/Pt)肖特基接触的电流传导机制及退火对这些机制的影响。
研究成果
在AlInGaN四元合金上制备的(Ni/Pt/Au)肖特基接触的导电机理可以基于热电子发射理论成功解释，该理论认为整个温度范围内势垒高度呈双高斯分布。中温区获得的理查德森常数值接近AlInGaN的理论值，表明所提模型的有效性。
研究不足
该研究限于80–320 K的温度范围，并聚焦于450°C退火的影响。分析采用势垒高度的高斯分布来解释所观察到的现象。
宽带隙AlInGaN四元合金上(Ni/Pt)肖特基接触的电流传导机制中的高斯分布
DOI：10.1116/1.5045259
期刊：Journal of Vacuum Science & Technology B
出版年份：2018
更新时间：2025-09-11 14:15:04
摘要：
研究了AlInGaN四元合金上未退火及450°C退火的(Ni/Pt)肖特基接触在80-320K温度范围内的导电机理。采用热电子发射理论评估了零偏压势垒高度(ΦB0)和理想因子(n)。I-V特性计算得出的ΦB0和n值呈现显著温度依赖性，这种行为归因于肖特基势垒的不均匀性。通过绘制ΦB0-n和ΦB0-q/2kT关系图获取金属/半导体界面高斯分布(GD)证据，发现未退火与退火接触在低温和中温区均呈现两个不同线性段?；讦礏0-q/kT线性段计算了两组样品的ΦB0平均值和标准差(σ0)。修正理查德森图（包含势垒不均匀性影响）得出：未退火接触在低温区有效理查德森常数(A*)和平均势垒高度分别为19.9 A cm?2 K?2和0.59 eV，中温区为43.3 A cm?2 K?2和1.32 eV；退火接触对应值为19.6 A cm?2 K?2/0.37 eV（低温）和42.9 A cm?2 K?2/1.54 eV（中温）。采用双高斯分布处理中温数据时，所得理查德森常数（44.7 A cm?2 K?2）与AlInGaN理论值高度吻合。因此，80-320K温度范围内未退火与退火肖特基接触的I-V-T特性可通过含双高斯势垒分布的热电子发射理论得到合理解释。
作者：
Engin Arslan，S?emsettin Alt?ndal，Serta? Ural，?mer Ahmet Kayal，Mustafa ?ztürk，Ekmel ?zbay
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