研究目的
研究碳化硅肖特基二极管新技术的可靠性，并在快速电子辐照条件下比较半导体电子领域两家知名制造商（即英飞凌和意法半导体）的器件性能。
研究成果
英飞凌和意法半导体的商用碳化硅肖特基二极管的电特性在快速电子辐照下出现退化，其中英飞凌器件表现出更稳定的性能和更好的抗辐射性。这种退化归因于辐照诱导缺陷对串联电阻、理想因子和饱和电流的影响。
研究不足
该研究仅限于两种特定的碳化硅肖特基二极管模型，且最大辐照剂量为15兆戈瑞。更高剂量和不同类型辐射的影响尚未探究。
1：实验设计与方法选择：
研究采用3 MeV电子束在室温下对SiC肖特基二极管进行10和15 MGy剂量辐照，分析辐照前后正向与反向偏置下的电流密度-电压特性。
2：样品选择与数据来源：
研究对象为英飞凌科技与意法半导体生产的4H碳化硅肖特基二极管。
3：实验设备与材料清单：
使用EPS-3000电子束机进行辐照，采用Keithley 4200半导体特性分析系统（SCS）及Keithley 2410源测量单元进行电学特性测试。
4：实验流程与操作步骤：
器件在无偏压状态下接受辐照，电学特性均在室温环境下测量。
5：数据分析方法：
运用热电子发射模型解析正向偏置特性，测定理想因子、串联电阻及饱和电流。
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Semiconductor Characterization System
Keithley 4200 SCS
Keithley
Used to characterize the forward bias and lower currents in reverse bias of the Schottky diodes.
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SourceMeter
Keithley 2410
Keithley
Used to supplement the 4200 SCS in order to extend the reverse bias measurement range to -600 V.
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SiC Schottky Diode
IDH08SG60C
INFINEON
Studied for its performance under fast electron irradiation.
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SiC Schottky Diode
STPSC806
STMICROELECTRONICS
Studied for its performance under fast electron irradiation.
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Electron Beam Machine
EPS-3000
Used for irradiating the SiC Schottky diodes with 3 MeV electrons.
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