研究目的
通过光学分析研究Cr杂质引入的GaN单晶中绿色着色的起源。
研究成果
通过吸收光谱、发光光谱及SIMS方法研究了UID-HVPE法生长GaN中空间分离绿色区域的成因。Cr4+离子的内转换跃迁同时导致了1.193 eV处观测到的PL谱线以及引起绿色外观的吸收现象。
研究不足
该研究仅限于对含Cr杂质的非故意掺杂GaN进行分析。由于缺乏TM注入参考样品，SIMS分析为定性分析。
1：实验设计与方法选择：
通过吸收光谱和光致发光光谱进行光学分析。采用高分辨率X射线衍射测量研究生长晶体的结构质量。利用二次离子质谱法(SIMS)检测过渡金属污染。
2：样品选择与数据来源：
研究了氢化物气相外延生长的非故意掺杂GaN，其呈现边界分明的绿色区域。
3：实验设备与材料清单：
Specord 600紫外-可见分光光度计、HeCd激光器、NKT SuperK Extreme超连续谱激光器、配备液氮冷却CCD相机的0.5米单色仪、激光光斑聚焦至1微米直径的显微光致发光(μ-PL)装置、配备热电冷却CCD相机的0.8米单色仪。
4：5米单色仪、激光光斑聚焦至1微米直径的显微光致发光(μ-PL)装置、配备热电冷却CCD相机的8米单色仪。 实验步骤与操作流程：
4. 实验步骤与操作流程：进行了室温和80K下的吸收光谱测量。采用325nm HeCd激光器在15K和室温下进行光致发光(PL)激发。采用NKT SuperK Extreme超连续谱激光器配合可调谐带通滤波器进行光激发光谱(PLE)激发。沿m面截面的光轴方向进行了室温PL线扫描。
5：数据分析方法：
对PL和PLE光谱进行了系统光谱响应校正。PL装置在近红外(NIR)光谱范围内的光谱分辨率约为0.5meV。
独家科研数据包，助您复现前沿成果，加速创新突破
获取完整内容-
Specord 600 UV-VIS spectrometer
600
Specord
Absorption spectroscopy measurements
-
HeCd laser
Excitation source for photoluminescence spectroscopy
-
NKT SuperK Extreme supercontinuum laser
SuperK Extreme
NKT
Excitation source for photoluminescence excitation spectroscopy
-
Liquid nitrogen cooled CCD camera
Detection of PL and PLE spectra
-
Thermoelectrically cooled CCD camera
Detection of μ-PL spectra
-
登录查看剩余3件设备及参数对照表
查看全部
