研究目的
研究六方氮化硼封装双层石墨烯中的界面态及其对输运势垒值的影响。
研究成果
该研究证实，用六方氮化硼封装石墨烯可保护其原始品质，使输运势垒值接近理论预期。该方法能可靠获取带隙和界面态信息，适用于其他高质量半导体。
研究不足
该研究聚焦于六方氮化硼封装的双层石墨烯，其发现可能无法直接适用于其他材料或构型。界面态的估算基于特定条件，这些条件在所有场景中未必成立。
1：实验设计与方法选择：
通过调节背栅和顶栅电压，测量了六方氮化硼封装的双层石墨烯的电导率，其中采用另一片双层石墨烯作为顶栅。
2：样本选择与数据来源：
使用高质量的六方氮化硼介电质双层石墨烯异质结构。
3：实验设备与材料清单：
双层石墨烯、六方氮化硼、硅衬底、低电流锁相放大技术。
4：实验步骤与操作流程：
在温度T = 1.5 K下，测量了电导率随背栅电压（VBG）和顶栅电压（VTG）的变化关系。
5：5 K下，测量了电导率随背栅电压（VBG）和顶栅电压（VTG）的变化关系。 数据分析方法：
5. 数据分析方法：假设界面陷阱态为零提取输运能隙值，并根据偏差估算带隙内单位能量界面态平均密度（Dit）。
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bilayer graphene
Used as the main material for studying interface states and transport gap values.
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hexagonal boron nitride
Used as a dielectric layer to encapsulate bilayer graphene, protecting its pristine quality.
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Si substrate
Used as a back-gate in the experimental setup.
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low-current lock-in technique
Used to measure the conductivity of bilayer graphene as a function of back and top gates.
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