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共掺杂F<sub>4</sub>TCNQ的P3HT中并存电荷转移态与微观结构的相关性

DOI:10.1021/acs.jpclett.8b03104 期刊:The Journal of Physical Chemistry Letters 出版年份:2018 更新时间:2025-09-10 09:29:36
摘要: 理解有机半导体(OSC)与薄膜中掺杂剂的相互作用对器件优化至关重要。掺杂有机半导体形成自由电荷的倾向取决于掺杂剂与主体材料之间发生的化学和电子相互作用。迄今为止,人们认为掺杂通过两种机制途径之一发生:有机半导体与掺杂剂之间的整数电荷转移(ICT),或两者前沿轨道的杂化形成部分电荷转移复合物(CPX)。通过综合光谱技术,我们证明在F4TCNQ掺杂的P3HT薄膜中,CPX态和ICT态同时存在,且电荷转移相互作用的性质强烈依赖于局部能量环境。我们的研究结果表明存在一个多相模型,其中局部电荷转移机制由电子驱动力定义,并受规整和无规P3HT中局部微观结构的调控。
作者: Bharati Neelamraju,Kristen E. Watts,Jeanne E. Pemberton,Erin L. Ratcliff
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理解有机半导体(OSC)与薄膜中掺杂剂之间的相互作用对于器件优化至关重要。

研究表明,在掺杂F4TCNQ的P3HT薄膜中,CPX态与ICT态共存,其相对含量取决于聚合物有序度与掺杂浓度。研究提出多相模型,其中局域电荷转移机制由电子驱动力主导,并受局部微观结构影响。

该研究无法在空间上分辨聚合物微结构中ICT态与CPX态的位置,需借助态密度(DoS)的相关性进行解释。

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