研究目的
通过结合光学与X射线扫描干涉测量法,以国际单位制长度单位测定硅晶格参数,实现更高扫描速度下X射线干涉条纹的连续数据采集。
研究成果
提出了一种新的硅晶格参数测量装置,采用国际单位制长度单位进行测量。该装置有望为重新定义国际单位制质量单位千克(kg)框架下同位素富集28Si晶体的研究做出贡献。
研究不足
该设置需要进行改进,以进一步降低分析仪薄片平移装置的不稳定性,目前其在低于100赫兹的频率范围内约为200皮米。
研究目的
通过结合光学与X射线扫描干涉测量法,以国际单位制长度单位测定硅晶格参数,实现更高扫描速度下X射线干涉条纹的连续数据采集。
研究成果
提出了一种新的硅晶格参数测量装置,采用国际单位制长度单位进行测量。该装置有望为重新定义国际单位制质量单位千克(kg)框架下同位素富集28Si晶体的研究做出贡献。
研究不足
该设置需要进行改进,以进一步降低分析仪薄片平移装置的不稳定性,目前其在低于100赫兹的频率范围内约为200皮米。
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