研究目的
为了降低二极管电容并改善全耗尽型硅绝缘体（SOI）像素探测器中p型衬底多结结构下SOI电路与传感器之间的有效屏蔽。
研究成果
MJ-SOI像素探测器在全耗尽状态下实现了其设计目标，降低了二极管电容并增强了SOI电路与传感器之间的屏蔽效果。该探测器在高亮度实验中展现出优异的抗辐射性能。
研究不足
MJ-SOI结构由于多结特性而较为复杂。本研究基于模拟结果，实际实施可能面临挑战。
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具有p型衬底多结结构的全耗尽SOI像素探测器
DOI：10.1109/TED.2018.2880184
期刊：IEEE Transactions on Electron Devices
出版年份：2018
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
提出了一种具有p型衬底多结结构的完全耗尽绝缘体上硅（SOI）像素探测器，以降低二极管电容并改善SOI电路与传感器之间的有效屏蔽。通过分别对埋入式p阱（BPW）和埋入式n阱（BNW）施加偏置电压，实现衬底中SOI电路与传感器的屏蔽。BPW施加偏压以抵消背栅效应。采用深度BPW形成电子势垒阻止BNW中的前向-后向漏电流，同时形成的横向电场可加速空穴向p+电荷收集区运动。仿真结果表明该像素在完全耗尽条件下可实现设计目标，电荷收集区的电容得以降低，其主要取决于电荷收集区/BNW结区特性。
作者：
Hao Lan，Ying Wang，Jie Chen，Xin Luo，Fei Cao
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