研究目的
利用电流-电压特性和阻抗分析研究石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管的电学性能。
研究成果
石墨烯/二氧化硅/p型硅结构遵循金属-绝缘体-半导体构型，其中绝缘氧化层改变了二极管的电学参数。测得串联电阻和理想因子分别为407.3欧姆和9。
研究不足
该研究仅限于在特定条件下分析电学特性，并未探讨二极管在不同环境条件或长期稳定性下的性能表现。
[电气工程讲义] 信号处理与通信进展 第526卷（ICSC 2018精选会议录）|| 基于电流-电压和阻抗测量的石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管分析
DOI：10.1007/978-981-13-2553-3_57
出版年份：2019
更新时间：2025-09-10 09:29:36
摘要：
我们通过电流-电压特性和阻抗分析研究了石墨烯-二氧化硅-p型硅肖特基结二极管的电学性质。从实验数据中提取了理想因子、整流比和串联电阻。观察到石墨烯/SiO2/p-Si肖特基二极管串联电阻相对于0至2V正向偏压变化呈现线性响应。
作者：
Pramila Mahala，Ankita Dixit，Navneet Gupta
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