研究目的
通过负载二硫化钼（MoS2）来改善硅纳米线（SiNWs）的光电化学性能，以增强析氢反应（HER）的催化作用。
研究成果
MoS2/SiNWs对析氢反应表现出显著提升的光电化学活性，这归因于界面处的肖特基结增强了电荷分离并抑制了复合。该方法为利用丰富地球材料实现高效制氢提供了一种有前景的途径。
研究不足
该研究聚焦于通过MoS2负载SiNWs来提升析氢反应性能，但未深入探究其在不同环境条件下的长期稳定性或合成方法的可扩展性。
1：实验设计与方法选择：
本研究采用两步法，通过金属催化无电蚀刻（MCEE）合成硅纳米线（SiNWs），并利用直接热分解法沉积二硫化钼（MoS2）。
2：样品选择与数据来源：
使用商业p型硅片（电阻率10–15 Ω·cm?1）制备SiNWs阵列。
3：实验设备与材料清单：
设备包括场发射扫描电子显微镜（FESEM）、X射线衍射仪（XRD）、紫外-可见-红外漫反射光谱仪（DRS）及CHI660D电化学工作站；材料包含硅片、硝酸银（AgNO?）、氢氟酸（HF）、过氧化氢（H?O?）、硫代钼酸铵及N,N-二甲基甲酰胺（DMF）。
4：实验步骤与操作流程：
通过MCEE法合成SiNWs，继而采用热分解法沉积MoS2，随后对样品进行表征并测试析氢反应（HER）性能。
5：数据分析方法：
运用电化学阻抗谱（EIS）和莫特-肖特基分析研究电子转移特性与载流子浓度。
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