研究目的
通过晶体锗(110)与外延石墨烯之间明确的范德华界面,对原始石墨烯晶格进行化学改性,以克服石墨烯缺乏电子带隙的局限性,旨在为其电子能带结构工程化改造,应用于下一代纳米电子器件。
研究成果
该研究成功展示了通过超高真空下高温退火驱动石墨烯晶格与底层锗衬底形成共价键,从而实现石墨烯晶格的化学修饰。这种修饰在石墨烯晶格中引入了单个sp3键,这一结果已通过扫描隧道显微镜(STM)和拉曼光谱得到证实。该方法为实现单层石墨烯可调电子特性迈出了重要一步,有望应用于纳米电子领域。
研究不足
该研究聚焦于在特定条件(超高真空与热退火)下通过锗相互作用对石墨烯进行化学改性。此方法在实验室外电子设备中的可扩展性与实际应用仍有待探索。